Прилади та пристрої ЕОТ 1

ID: 7727
Навчальна дисципліна професійної підготовки
Рік впровадження: 
2017.
Кількість кредитів ЄКТС: 
3.00.
Форма контрою: 
Залік.
Кількість аудиторних занять: 
30 годин лекційних занять, 16 годин лабораторних занять.

Анотація навчальної дисципліни

Мета дисципліни

забезпечення підготовки, необхідної для експлуатації існуючих і створення нових електронних засобів. Головний об'єкт вивчення дисципліни – внутрішній устрій і функціонування напівпровідникових приладів.

Завдання дисципліни – це:
  • підготовка студентів до вирішення майбутніх навчальних і виробничих завдань, пов'язаних з вибором електронних приладів і режимів їх роботи;
  • ознайомлення з основними видами напівпровідникових приладів електронних пристро-їв, що забезпечують функціонування комп'ютерної техніки.

 

Основні результати навчання

  • В результаті вивчення дисципліни студент повинен  знати призначення, області застосування, устрій, параметри, фізичні принципи і режими роботи, схеми включення напівпровідникових приладів; 
  • уміти вибирати потрібні активні компоненти для електричних схем;
  • користуватися довідковою літературою;
  • проводити необхідні розрахунки.

 

Форми організації освітнього процесу та види навчальних занять

  • Л – лекційні заняття;
  • ЛР –лабораторні роботи;
  • СРС – самостійна робота здобувача вищої освіти;
  • МКР – модульна контрольна робота;
  • К – консультації.

 

Тематика та види навчальних занять

  • 1 тиждень
    • Л1. Загальні відомості про напівпровідники. Види провідності в напівпровідниках.
    • ЛР1. Дослідження вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик напівпровідникових діодів.
    • СРС. К.
  • 2 тиждень
    • Л2. Струм в напівпровідниках.
    • СРС. К.
  • 3 тиждень
    • Л3. Контактні явища. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги.
    • ЛР2. Розрахунок основних параметрів напівпровідникових приладів за статичними характеристиками.
    • СРС. К.
  • 4 тиждень
    • Л4. Пряме і зворотне включення p-n переходу.
    • СРС. К.
  • 5 тиждень
    • Л5. Теоретична і реальна V-A характеристики p-n переходу.
    • ЛР3. Вибір напівпровідникових приладів за паспортними даними.
    • СРС. К.
  • 6 тиждень
    • Л6. Ємності p-n переходу.
    • СРС. К.
  • 7 тиждень
    • Л7. Різновиди електричних контактів і переходів в напівпровідниках.
    • ЛР4. Дослідження вольт-амперних характеристик тиристорів.
    • МКР1.
    • СРС. К.
  • 8 тиждень
    • Л8. Класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди, стабілітрони і стабістори, універсальні й імпульсні діоди, варикапи.
    • СРС. К.
  • 9 тиждень
    • Л9. Біполярний транзистор. Принцип дії. Режими роботи.
    • ЛР5. Дослідження графіків залежностей параметрів транзисторів від режиму роботи по постійному струму.
    • СРС. К.
  • 10 тиждень
    • Л10. Фізичні процеси в бездрейфовому біполярному транзисторі.
    • СРС. К.
  • 11 тиждень
    • Л11. Статичні характеристики біполярного транзистора. Вплив температури на статичні характеристики.
    • ЛР6. Розрахунок фізичних параметрів транзистора.
    • СРС. К.
  • 12 тиждень
    • Л12. Малосигнальна модель біполярного транзистора і його частотні властивості. Способи поліпшення частотних властивостей.
    • СРС. К.
  • 13 тиждень
    • Л13. Робота транзистора в режимі підсилення.
    • ЛР7. Розрахунок частотних параметрів транзистора.
    • СРС. К.
  • 14 тиждень
    • Л14. Особливості роботи біполярних транзисторів в імпульсному режимі. Робота в режимі посилення імпульсів малої амплітуди. Робота в режимі перемикання.
    • МКР2.
    • СРС. К.
  • 15 тиждень
    • Л15. Польові транзистори з p-n переходом і з ізольованим затвором.
    • ЛР8. Розрахунок параметрів транзистора в динамічному режимі.
    • СРС. К.

 

Індивідуальна робота

Індивідуальна робота не передбачена.

 

Самостійна робота

Самостійна робота складає 44 години. Розподіл самостійної роботи за видами навчальних робіт:

  • самостійне опрацювання теоретичного матеріалу – 30 годин;
  • відповіді на контрольні запитання при підготовці до лабораторних занять – 14 годин.

 

Процедура оцінювання

Система оцінювання рівня навчальних досягнень ґрунтується на принципах ЄКТС та є накопичувальною. Здобувачі протягом семестру готуються до лекційних і лабораторних занять, виконують дві контрольні роботи.

Контрольні роботи №1 і №2 виконуються в письмовій формі. Вони містять 10 тестових питань, які оцінюються по 3 бала кожен. Максимальна оцінка за бездоганне виконання контрольної роботи складає 30 балів.

Накопичувальна частина складається з балів, отриманих при оцінці поточного контролю знань – 8 балів за семестр і балів за виконання і захист лабораторних робіт – 32 бали за семестр.

Лабораторні роботи оцінюються в залежності від якості підготовки та впевненості при захисті. Кожна робота оцінюється з 4 балів. За неповні і нечіткі відповіді, при непевному володінні студентом термінологією і знанням предмета оцінка знижується.

Поточний контроль знань здійснюється у формі усних опитувань (6 балів) і оцінки активності студентів на заняттях (2 бали). Кожен студент протягом семестру відповідає на шість питань на лекціях. За правильну відповідь він отримує 1 бал.

Поведінка студента на заняттях вважається активною, якщо він слухає викладача, робить записи, задає питання, не порушує навчальний графік.
Залік з дисципліни накопичувальний. 

 

Умови допуску до підсумкового контролю

Залік отримують здобувачі вищої освіти, які за підсумками контрольних і лабораторних робіт та поточного опитування набрали не менше 30 балів.

Перездача заліку організовується за встановленим деканатом розкладом.

 

Політика освітнього процесу

Здобувач зобов’язаний своєчасно та якісно виконувати всі отримані завдання; за необхідністю, з метою з’ясування всіх не зрозумілих під час самостійної роботи питань, відвідувати консультації викладача. Дотримуватись принципів академічної доброчесності. 

Відсутність здобувача на контрольній роботі відповідає оцінці «0».

Під час лекції здійснювати телефонні дзвінки забороняється.